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Jul 23, 2024

Tecnología de semiconductores: deposición química en fase de vapor (CVD)

En la actualidad, los materiales preparados porTecnología de deposición química de vaporNo solo se utilizan en materiales para herramientas de corte, materiales resistentes al desgaste, resistentes al calor, resistentes a la corrosión, materiales compuestos especiales en la industria aeroespacial, materiales de reactores atómicos y materiales biomédicos, sino que también se utilizan ampliamente en la preparación y síntesis de diversos materiales en polvo, materiales a granel, nuevos materiales cristalinos, fibras cerámicas y películas de diamante. En el campo de la tecnología de preparación de películas delgadas para materiales ferroeléctricos, materiales aislantes, materiales magnéticos y materiales optoelectrónicos como tecnología de circuitos integrados a gran escala, es aún más indispensable.

Principios deTecnología CVD

La tecnología CVD es el proceso de introducir vapor que contiene reactivos gaseosos o líquidos que forman los elementos de película delgada y otros gases necesarios para la reacción en una cámara de reacción, provocando una reacción química en la superficie del sustrato y depositando productos sólidos sobre la superficie para formar una película delgada.

Incluye cuatro etapas principales:
① El gas de reacción se difunde hacia la superficie del material;
② El gas reactivo se adsorbe en la superficie del material;
③ Las reacciones químicas ocurren en la superficie de los materiales;
④ Los subproductos gaseosos se desprenden de la superficie del material.

Características de la tecnología CVD

La capa de película formada por la tecnología CVD es densa y uniforme, con una fuerte unión entre la capa de película y el sustrato, fácil control de la composición de la película, rápida tasa de deposición y calidad de película estable. Algunas capas de película especiales también tienen excelentes propiedades ópticas, térmicas y eléctricas, lo que las hace fáciles de lograr en la producción en masa. Sin embargo, la temperatura de deposición de CVD suele ser muy alta, entre 900 grados y 2000 grados, lo que puede causar fácilmente la deformación de las piezas y cambios en la microestructura, reduciendo así las propiedades mecánicas del material del cuerpo y debilitando la fuerza de unión entre el material del cuerpo y el recubrimiento, limitando la selección de sustratos, capas de deposición o la calidad de la pieza de trabajo resultante. En la actualidad, la tecnología CVD se está desarrollando hacia dos direcciones: temperatura media y baja y alto vacío, y se combina con plasma, láser, ultrasonido y otras tecnologías para formar muchas nuevas tecnologías CVD.

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